p沟道场效应管工作原理，p沟道场效应管应用有哪些限制？

　　p沟道场效应管（p-channel MOSFET）是一种半导体器件，其工作原理基于控制源漏电流的电场。当在栅极上施加一个正电压时，p沟道中的正空穴将向栅极靠近，减小了源漏电流通道的宽度，所以电阻增加，电流减小。反之，当栅极电压为零或负时，正空穴远离栅极，通道变宽，电阻减小，电流增大。这种电场控制特性使得p沟道场效应管可以作为开关或放大器使用。

　　p沟道场效应管与n沟道场效应管（n-channel MOSFET）相比，其栅极电压为负相对更加稳定，所以适合用于高温、高压等环境下的应用。